導(dǎo)電膜的發(fā)展

　　近幾年來國內(nèi)外的研究者分別在低溫制備的設(shè)備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設(shè)計和制備工藝方面進行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯(PC)襯底上制備了厚度為250mm，電阻率為6× ~2(Ω·cm)，透過率為74%~90%;Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO，方塊電阻是20O/□，透過率80%，但是表面的粗糙度較大;  利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過率為85%，電阻率為~0.003Ω·cm，表面粗糙度為15-50，美國的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積(DMIBD)方法在70℃的條件下制備的ITO薄膜高透過率為85%，低電阻率為4×Ω·cm，表面質(zhì)量比較高;此外還有一些研究人員利用脈沖激光沉積(PLD)，電子束熱蒸發(fā)和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進行高質(zhì)量塑基的薄膜制備。

　　國內(nèi)的賈永新在150℃基板條件下制備出了透過率為80%左右ITO薄膜，但沒有見電阻和表面特性的報道;近年來李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過率大于85%，但方塊電阻大于100O/□，表面特性沒有報道;馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下制備出了透過率大于84%，電阻率~0.001量級的薄膜。

　　綜上所述，國內(nèi)在低溫尤其常溫下制備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠;并且研究制備方法也比較單一，與國外有比較大的差距。近年來國外尤其日本和韓國分別在低溫沉積技術(shù)、薄膜生長機理和薄膜表面改性方面進行了深入的研究，在保證不對薄膜襯底產(chǎn)生破壞的情況下，在低溫甚至室溫的條件下制備出了薄膜電阻率低于5×Ω·cm，透過率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。